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Rohm Semiconductor RS1E280GNTB
| Artikelnummer: | RS1E280GNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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- Verpackung
-
Rohm Semiconductor RS1E280GNTB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RS1E280GNTB.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-HSOP Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 28A, 10V Verlustleistung (max) 3W (Ta), 31W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta) Grundproduktnummer RS1E RS1E280GNTB Einzelheiten PDF [English] RS1E280GNTB PDF - EN.pdf -
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